Fabrikant Productnummer:
FDMS86263P-23507X
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FDMS86263P-23507X-DG
Beschrijving:
FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 150 V 4.4A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Voorraad:
12973660
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FDMS86263P-23507X Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
150 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.4A (Ta), 22A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
53mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3905 pF @ 75 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-PQFN (5x6)
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
488-FDMS86263P-23507XTR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PJD2NA70_L2_00001
700V N-CHANNEL MOSFET
2SJ254
2SJ254 - P-CHANNEL MOS SILICON F
SI3430DV-T1-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
