Fabrikant Productnummer:
FDP027N08B-F102
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FDP027N08B-F102-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voorraad:
740 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12849985
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FDP027N08B-F102 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tube
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
13530 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
246W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
FDP027
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
FDP027N08B_F102
FDP027N08B_F102-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPC60N04S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23
AO4459L
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SO
FDB088N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
