Fabrikant Productnummer:
FDR6580
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FDR6580-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 11.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Voorraad:
12838297
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FDR6580 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11.2A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
9mOhm @ 11.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3829 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.8W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SuperSOT™-8
Pakket / Doos
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Basis productnummer
FDR65
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDS6675A
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDA032N08
MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
FQB11P06TM
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
