Fabrikant Productnummer:
FQA55N10
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQA55N10-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P
Voorraad:
12847522
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQA55N10 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
26mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
190W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3P
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
FQA5
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
450
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
2SK1317-E
Fabrikant
Renesas Electronics Corporation
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5608
DEELNUMMER
2SK1317-E-DG
EENHEIDSPRIJS
3.29
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
IXTQ75N10P
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3
DEELNUMMER
IXTQ75N10P-DG
EENHEIDSPRIJS
2.44
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
HUF75639G3
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
415
DEELNUMMER
HUF75639G3-DG
EENHEIDSPRIJS
1.49
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDMA291P
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
FDS6064N3
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
FDS9412A
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
