FQB12N50TM_AM002
Fabrikant Productnummer:

FQB12N50TM_AM002

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQB12N50TM_AM002-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 500 V 12.1A (Tc) 3.13W (Ta), 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

12836898
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQB12N50TM_AM002 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
500 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12.1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
490mOhm @ 6.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.13W (Ta), 179W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
FQB1

Aanvullende informatie

Standaard pakket
800

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IRFS11N50APBF
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
417
DEELNUMMER
IRFS11N50APBF-DG
EENHEIDSPRIJS
1.22
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FDP054N10

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

onsemi

FDS6680A

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

onsemi

FDMS8320LDC

MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56

onsemi

FQB19N20CTM

MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK