FQB12P10TM
Fabrikant Productnummer:

FQB12P10TM

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQB12P10TM-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 100 V 11.5A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

12838538
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQB12P10TM Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
290mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
FQB1

Datasheet & Documenten

Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
800

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IRF5210STRLPBF
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
7933
DEELNUMMER
IRF5210STRLPBF-DG
EENHEIDSPRIJS
1.26
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

IRFS350A

MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF

infineon-technologies

AUIRFR6215

MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

onsemi

FQU5N50CTU-WS

MOSFET N-CH 500V 4A IPAK

onsemi

FDD86326

MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK