FQB9N08LTM
Fabrikant Productnummer:

FQB9N08LTM

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQB9N08LTM-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

12836504
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQB9N08LTM Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
210mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
FQB9

Datasheet & Documenten

Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
800

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FDP047N10

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

onsemi

ATP208-TL-H

MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK

onsemi

FDPF045N10A

MOSFET N-CH 100V 67A TO220F

onsemi

2N7000

MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C