Fabrikant Productnummer:
FQP19N20C_F080
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQP19N20C_F080-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voorraad:
12850148
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQP19N20C_F080 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
139W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
FQP1
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IRF200B211
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
4746
DEELNUMMER
IRF200B211-DG
EENHEIDSPRIJS
0.51
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FCA36N60NF
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
