Fabrikant Productnummer:
HUF76629D3ST
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
HUF76629D3ST-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voorraad:
17120 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12839005
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
wsE2
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
HUF76629D3ST Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
UltraFET™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1285 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
110W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
HUF76629
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
HUF76629D3STTR
HUF76629D3ST-DG
HUF76629D3STCT
HUF76629D3STDKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FQAF11N40
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF
FDS6699S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
AUIRF1404Z
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
