Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
NSVB114YPDXV6T1G
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
NSVB114YPDXV6T1G-DG
Beschrijving:
TRANS BRT 50V 100MA SOT563
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12855887
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
NSVB114YPDXV6T1G Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
10kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
47kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequentie - Overgang
-
Vermogen - Max
500mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SOT-563, SOT-666
Leverancier Device Pakket
SOT-563
Basis productnummer
NSVB11
Datasheet & Documenten
Technische fiches
MUN5314DW1, NSBC114YPDxx
Datasheets
NSVB114YPDXV6T1G
HTML Gegevensblad
NSVB114YPDXV6T1G-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
4,000
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
DDC143TH-7
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
DDC143TH-7-DG
EENHEIDSPRIJS
0.06
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
DDC123JH-7
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
DDC123JH-7-DG
EENHEIDSPRIJS
0.06
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
RN4987FE,LF(CT
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3442
DEELNUMMER
RN4987FE,LF(CT-DG
EENHEIDSPRIJS
0.02
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
DDC144EH-7
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5220
DEELNUMMER
DDC144EH-7-DG
EENHEIDSPRIJS
0.10
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
DDC124EH-7
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
DDC124EH-7-DG
EENHEIDSPRIJS
0.06
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
MUN5315DW1T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
NSBC123JDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
MUN5311DW1T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
NSVBC143ZPDXV6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563