NTBGS1D5N06C
Fabrikant Productnummer:

NTBGS1D5N06C

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

NTBGS1D5N06C-DG

Beschrijving:

POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 35A (Ta), 267A (Tc) 3.7W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

300 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12988626
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

NTBGS1D5N06C Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Last Time Buy
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V, 12V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.55mOhm @ 64A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 318µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6250 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 211W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
800
Andere namen
488-NTBGS1D5N06CCT
488-NTBGS1D5N06CTR
488-NTBGS1D5N06CDKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
taiwan-semiconductor

BSS84W RFG

-60, -0.14, SINGLE P-CHANNEL

toshiba-semiconductor-and-storage

TK12P50W,RQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

anbon-semiconductor

BSS123

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH2R903PL,L1Q

PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD