NTD4960N-1G

Fabrikant Productnummer:

NTD4960N-1G

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

NTD4960N-1G-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 30 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Through Hole IPAK

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12841709

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

NTD4960N-1G Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

onsemi

Verpakking

-

Reeks

-

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

30 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

8.9A (Ta), 55A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

22 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1300 pF @ 15 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

1.07W (Ta), 35.71W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

IPAK

Pakket / Doos

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis productnummer

NTD49

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

75

Andere namen

NTD4960N-1GOS

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

onsemi

NTMFS4108NT3G

MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN

onsemi

NVMFS5833NT1G

MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN

onsemi

NTLUS3A18PZTAG

MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN

onsemi

NTB6448ANT4G

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK