NTH4L015N065SC1
Fabrikant Productnummer:

NTH4L015N065SC1

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

NTH4L015N065SC1-DG

Beschrijving:

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 142A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Voorraad:

219 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12964153
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

NTH4L015N065SC1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
142A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V, 18V
Rds aan (max) @ id, vgs
18mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 25mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
283 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4790 pF @ 325 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
500W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-4L
Pakket / Doos
TO-247-4

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
488-NTH4L015N065SC1DKR
488-NTH4L015N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L015N065SC1TR
488-NTH4L015N065SC1CT-DG
488-NTH4L015N065SC1CT
488-NTH4L015N065SC1DKR-DG
488-NTH4L015N065SC1
488-NTH4L015N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L015N065SC1TR-DG
2156-NTH4L015N065SC1

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

NVBLS1D7N08H

MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL

vishay-siliconix

SQJQ144AER-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

onsemi

NTPF125N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE