Fabrikant Productnummer:
NTH4L045N065SC1
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
NTH4L045N065SC1-DG
Beschrijving:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Voorraad:
484 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12964310
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
NTH4L045N065SC1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V, 18V
Rds aan (max) @ id, vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 8mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 325 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
187W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-4L
Pakket / Doos
TO-247-4
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
488-NTH4L045N065SC1
488-NTH4L045N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1CT
488-NTH4L045N065SC1TR
488-NTH4L045N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1DKR
488-NTH4L045N065SC1TR-DG
488-NTH4L045N065SC1CT-DG
488-NTH4L045N065SC1DKR-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SSM3K7002KF,LXHF
SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
