PJMD900N60EC_L2_00001
Fabrikant Productnummer:

PJMD900N60EC_L2_00001

Product Overview

Fabrikant:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

PJMD900N60EC_L2_00001-DG

Beschrijving:

600V SUPER JUNCITON MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 47.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Voorraad:

5835 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12997378
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

PJMD900N60EC_L2_00001 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
PANJIT
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
47.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
PJMD900

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
3757-PJMD900N60EC_L2_00001DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
epc-space

FBG20N18BC

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

rohm-semi

R6524KNXC7G

650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

vishay-siliconix

SQA405CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)

panjit

PJP12NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET