Fabrikant Productnummer:

PJQ1906_R1_00001

Product Overview

Fabrikant:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

PJQ1906_R1_00001-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 3-DFN (1x0.6)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

13001216

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

PJQ1906_R1_00001 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

PANJIT

Verpakking

-

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

30 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

300mA (Ta)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

1.2V, 4.5V

Rds aan (max) @ id, vgs

1.2Ohm @ 300mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

0.9 nC @ 4.5 V

Vgs (Max.)

±10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

45 pF @ 10 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

700mW (Ta)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

3-DFN (1x0.6)

Pakket / Doos

3-UFDFN

Basis productnummer

PJQ1906

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1

Andere namen

3757-PJQ1906_R1_00001TR

Milieu- en Exportclassificatie

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

goford-semiconductor

18N20

N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V

infineon-technologies

IPP033N04NF2SAKMA1

TRENCH PG-TO220-3

IXFN120N60X3

DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT

goford-semiconductor

G11S

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8