Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
PJW3N10A_R2_00001
Product Overview
Fabrikant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
PJW3N10A_R2_00001-DG
Beschrijving:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Voorraad:
14009 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12970626
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
PJW3N10A_R2_00001 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
PANJIT
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
310mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
508 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.1W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-223
Pakket / Doos
TO-261-4, TO-261AA
Basis productnummer
PJW3N10A
Datasheet & Documenten
Technische fiches
PJW3N10A
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
3757-PJW3N10A_R2_00001CT
3757-PJW3N10A_R2_00001TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PJP3NA50_T0_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
PJD55N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD40N15_L2_00001
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJD5NA80_L2_00001
800V N-CHANNEL MOSFET