PSMP050N10NS2_T0_00601
Fabrikant Productnummer:

PSMP050N10NS2_T0_00601

Product Overview

Fabrikant:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

PSMP050N10NS2_T0_00601-DG

Beschrijving:

100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 138W (Tc) Through Hole TO-220AB-L

Voorraad:

1890 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12989046
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

PSMP050N10NS2_T0_00601 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
PANJIT
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 270µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3910 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
138W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB-L
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
PSMP050N10

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
3757-PSMP050N10NS2_T0_00601

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
panjit

PJMH190N60E1_T0_00601

600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D

anbon-semiconductor

BSS138

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IMT65R057M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

IMT65R107M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET