2SK1775-E
Fabrikant Productnummer:

2SK1775-E

Product Overview

Fabrikant:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

2SK1775-E-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 900 V 8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3P

Voorraad:

12858106
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

2SK1775-E Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Renesas Electronics Corporation
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
900 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1730 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
60W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3P
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
2SK1775

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
STW7NK90Z
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
86
DEELNUMMER
STW7NK90Z-DG
EENHEIDSPRIJS
1.75
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

IRFBC30L

MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK

onsemi

NTMJS0D9N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK

renesas-electronics-america

UPA2815T1S-E2-AT

MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON