Fabrikant Productnummer:
NP82N10PUF-E1-AY
Product Overview
Fabrikant:
Renesas
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
NP82N10PUF-E1-AY-DG
Beschrijving:
NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Voorraad:
6400 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12976878
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
NP82N10PUF-E1-AY Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Renesas Electronics Corporation
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
5.8V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
15mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4350 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.8W (Ta), 150W (Tc)
Werkende Temperatuur
175°C
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Aanvullende informatie
Standaard pakket
121
Andere namen
2156-NP82N10PUF-E1-AY
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IRF3710STRLPBF
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
15343
DEELNUMMER
IRF3710STRLPBF-DG
EENHEIDSPRIJS
0.73
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
2SK3447TZ-E
2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL
HAT1091C-EL-E
HAT1091C-EL-E - SILICON P CHANNE
SSP45N20A
35A, 200V, 0.065OHM, N-CHANNEL M