Fabrikant Productnummer:
BSM180C12P3C202
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSM180C12P3C202-DG
Beschrijving:
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module
Voorraad:
11 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12937633
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSM180C12P3C202 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
-
Rds aan (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 50mA
Vgs (Max.)
+22V, -4V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
880W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Chassis Mount
Leverancier Device Pakket
Module
Pakket / Doos
Module
Basis productnummer
BSM180
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
12
Andere namen
846-BSM180C12P3C202
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
2SJ143(6)-S6-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
2SK515-T1B-A
SMALL SIGNAL FET
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
