Fabrikant Productnummer:
BSM180D12P2C101
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSM180D12P2C101-DG
Beschrijving:
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
Voorraad:
1 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13523041
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSM180D12P2C101 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuratie
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200V (1.2kV)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35.2mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 10V
Vermogen - Max
1130W
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pakket / Doos
Module
Leverancier Device Pakket
Module
Basis productnummer
BSM180
Datasheet & Documenten
Betrouwbaarheid Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
12
Andere namen
Q7641253A
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
