Fabrikant Productnummer:
EMA11T2R
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
EMA11T2R-DG
Beschrijving:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Voorraad:
13522808
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
EMA11T2R Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Not For New Designs
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
47kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequentie - Overgang
250MHz
Vermogen - Max
150mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Leverancier Device Pakket
EMT5
Basis productnummer
EMA11
Aanvullende informatie
Standaard pakket
8,000
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
RN2706JE(TE85L,F)
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3000
DEELNUMMER
RN2706JE(TE85L,F)-DG
EENHEIDSPRIJS
0.05
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DEELNUMMER
RN2906,LF
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5268
DEELNUMMER
RN2906,LF-DG
EENHEIDSPRIJS
0.03
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
