Fabrikant Productnummer:
EMG8T2R
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
EMG8T2R-DG
Beschrijving:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Voorraad:
7975 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13523956
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
EMG8T2R Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
47kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequentie - Overgang
250MHz
Vermogen - Max
150mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Leverancier Device Pakket
EMT5
Basis productnummer
EMG8T2
Datasheet & Documenten
Betrouwbaarheid Documenten
Bronnen voor ontwerp
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
8,000
Andere namen
EMG8T2RCT
EMG8T2RTR
EMG8T2RDKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
NSB1706DMW5T1G
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
4465
DEELNUMMER
NSB1706DMW5T1G-DG
EENHEIDSPRIJS
0.03
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
FMC3AT148
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5
IMD8AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6