GNP1150TCA-ZE2

Fabrikant Productnummer:

GNP1150TCA-ZE2

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

GNP1150TCA-ZE2-DG

Beschrijving:

ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 650 V 11A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount DFN8080AK

Voorraad:

3051 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

13000714

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

GNP1150TCA-ZE2 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

650 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

5V, 5.5V

Rds aan (max) @ id, vgs

195mOhm @ 1.9A, 5.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 18mA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

2.7 nC @ 6 V

Vgs (Max.)

+6V, -10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

112 pF @ 400 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

62.5W (Tc)

Werkende Temperatuur

150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

DFN8080AK

Pakket / Doos

8-PowerDFN

Basis productnummer

GNP1150

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket

3,500

Andere namen

846-GNP1150TCA-ZE2CT

846-GNP1150TCA-ZE2TR

846-GNP1150TCA-ZE2DKR

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

3 (168 Hours)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

diodes

DMN2310U-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

diodes

DMTH8008LFG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

STP80N600K6

N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,

STWA65N023M9

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,