GNP1150TCA-ZE2
Fabrikant Productnummer:

GNP1150TCA-ZE2

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

GNP1150TCA-ZE2-DG

Beschrijving:

ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount DFN8080AK

Voorraad:

3051 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13000714
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

GNP1150TCA-ZE2 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
5V, 5.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 18mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
2.7 nC @ 6 V
Vgs (Max.)
+6V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
112 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
62.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
DFN8080AK
Pakket / Doos
8-PowerDFN
Basis productnummer
GNP1150

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,500
Andere namen
846-GNP1150TCA-ZE2CT
846-GNP1150TCA-ZE2TR
846-GNP1150TCA-ZE2DKR

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
diodes

DMN2310U-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

diodes

DMTH8008LFG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

stmicroelectronics

STP80N600K6

N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,

stmicroelectronics

STWA65N023M9

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,