R6002ENHTB1
Fabrikant Productnummer:

R6002ENHTB1

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

R6002ENHTB1-DG

Beschrijving:

600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Voorraad:

2172 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12974854
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

R6002ENHTB1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
65 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOP
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
R6002

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
846-R6002ENHTB1CT
846-R6002ENHTB1DKR
846-R6002ENHTB1TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
texas-instruments

CSD16321Q5T

25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS

diotec-semiconductor

DI035P04PT-AQ

MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A

infineon-technologies

IPL65R095CFD7AUMA1

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

nexperia

BUK9Y12-55B/C3X

MOSFET N-CH 55V LFPAK56