R6007END3TL1
Fabrikant Productnummer:

R6007END3TL1

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

R6007END3TL1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252

Voorraad:

2500 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12851038
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

R6007END3TL1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
78W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
R6007

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
846-R6007END3TL1CT
846-R6007END3TL1TR
846-R6007END3TL1DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FDY100PZ

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

onsemi

FDS6612A

MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC

onsemi

FQAF17N40

MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF

infineon-technologies

IPAN65R650CEXKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220