R6013VND3TL1
Fabrikant Productnummer:

R6013VND3TL1

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

R6013VND3TL1-DG

Beschrijving:

600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 131W (Tc) Surface Mount TO-252

Voorraad:

2561 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13001570
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

R6013VND3TL1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V, 15V
Rds aan (max) @ id, vgs
300mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 500µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
131W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
R6013VN

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
846-R6013VND3TL1TR
846-R6013VND3TL1DKR
846-R6013VND3TL1CT

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
diodes

DMTH45M5LPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

goford-semiconductor

GT060N04K

MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252

goford-semiconductor

GT090N06K

MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252

vishay-siliconix

SQA602CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)