R6020YNX3C16
Fabrikant Productnummer:

R6020YNX3C16

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

R6020YNX3C16-DG

Beschrijving:

NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 182W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

975 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13001907
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

R6020YNX3C16 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V, 12V
Rds aan (max) @ id, vgs
185mOhm @ 6A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 1.65mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
182W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
R6020

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
846-R6020YNX3C16

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
icemos-technology

ICE35N60W

Superjunction MOSFET

goford-semiconductor

G13P04S

P-40V,-13A,RD(MAX)<15M@-10V,VTH-

good-ark-semiconductor

GSFU9506

MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,

rohm-semi

R6013VNXC7G

600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH