R6027YNX3C16

Fabrikant Productnummer:

R6027YNX3C16

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

R6027YNX3C16-DG

Beschrijving:

NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 600 V 27A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

1000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

13002590

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

R6027YNX3C16 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Verpakking

Tube

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

600 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

27A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V, 12V

Rds aan (max) @ id, vgs

135mOhm @ 7A, 12V

Vgs(th) (Max) @ Id

6V @ 2mA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±30V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1670 pF @ 100 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

245W (Tc)

Werkende Temperatuur

150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-220AB

Pakket / Doos

TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

R6027YNX3C16-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1,000

Andere namen

846-R6027YNX3C16

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

goford-semiconductor

G700P06J

MOSFET P-CH 60V 23A TO-251

DMN1032UCP4-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-

taiwan-semiconductor

TSM150NB04LCV RGG

40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER

IPD028N06NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V