R6086YNZC17
Fabrikant Productnummer:

R6086YNZC17

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

R6086YNZC17-DG

Beschrijving:

NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-3PF

Voorraad:

300 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12992399
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

R6086YNZC17 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V, 12V
Rds aan (max) @ id, vgs
44mOhm @ 17A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4.6mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
114W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3PF
Pakket / Doos
TO-3P-3 Full Pack

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
300
Andere namen
846-R6086YNZC17

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

NTMFS4935NT1G-IRH1

NTMFS4935NT1G-IRH1

icemos-technology

ICE60N130FP

Superjunction MOSFET

vishay-siliconix

SIHG15N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

goford-semiconductor

G16N03S

MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8