R8006KNXC7G
Fabrikant Productnummer:

R8006KNXC7G

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

R8006KNXC7G-DG

Beschrijving:

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 52W (Tc) Through Hole TO-220FM

Voorraad:

790 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12996117
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

R8006KNXC7G Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
52W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220FM
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Basis productnummer
R8006

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
846-R8006KNXC7GTR
846-R8006KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8006KNXC7GDKR-DG
846-R8006KNXC7GCT
846-R8006KNXC7GDKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
texas-instruments

CSD18563Q5A-P

60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS

alpha-and-omega-semiconductor

AOK065V65X2

MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247

nexperia

PSMN4R8-100YSEX

PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS