Fabrikant Productnummer:
R8009KNXC7G
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
R8009KNXC7G-DG
Beschrijving:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 9A (Ta) 59W (Tc) Through Hole TO-220FM
Voorraad:
1871 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12996459
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
R8009KNXC7G Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
59W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220FM
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Basis productnummer
R8009
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
846-R8009KNXC7GDKR
846-R8009KNXC7GTR
846-R8009KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8009KNXC7GCT
846-R8009KNXC7GDKR-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1
IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO
SCH1331-TL-W
POWER MOSFET
ECH8607-TL-E
N-CHANNEL SILICON MOSFET
