Fabrikant Productnummer:
RD3L08BGNTL
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RD3L08BGNTL-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
Voorraad:
1415 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13525521
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RD3L08BGNTL Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3620 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
119W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
RD3L08
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
RD3L08BGNTLDKR
RD3L08BGNTLTR
RD3L08BGNTLCT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
TK6R7P06PL,RQ
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
22356
DEELNUMMER
TK6R7P06PL,RQ-DG
EENHEIDSPRIJS
0.31
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
R6035ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
RTU002P02T106
MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3
RSJ300N10TL
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
