Fabrikant Productnummer:
RS1E200GNTB
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RS1E200GNTB-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Voorraad:
2460 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13527276
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RS1E200GNTB Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
20A (Ta), 57A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-HSOP
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
RS1E
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
RS1E200GNTBDKR
RS1E200GNTBCT
RS1E200GNTBTR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
BSC042N03LSGATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
11717
DEELNUMMER
BSC042N03LSGATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.35
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
R6035KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
RDN050N20FU6
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
