RS6G100BGTB1

Fabrikant Productnummer:

RS6G100BGTB1

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

RS6G100BGTB1-DG

Beschrijving:

NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 40 V 100A (Tc) 3W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Voorraad:

2423 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12990005

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

RS6G100BGTB1 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

ROHM Semiconductor

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

40 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

3.4mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

24 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1510 pF @ 20 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

3W (Ta), 59W (Tc)

Werkende Temperatuur

150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

8-HSOP

Pakket / Doos

8-PowerTDFN

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

RS6G100BGTB1-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket

2,500

Andere namen

846-RS6G100BGTB1DKR

846-RS6G100BGTB1CT

846-RS6G100BGTB1TR

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

rohm-semi

RS6L090BGTB1

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

rohm-semi

RS6P060BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

rohm-semi

RD3L03BBGTL1

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506