Fabrikant Productnummer:
RS6G120BGTB1
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RS6G120BGTB1-DG
Beschrijving:
NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Voorraad:
2094 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12976581
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RS6G120BGTB1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.34mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4240 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
104W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-HSOP
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
RS6G
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
846-RS6G120BGTB1TR
846-RS6G120BGTB1DKR
846-RS6G120BGTB1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
GPIHV7DK
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
TKR74F04PB,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
