Fabrikant Productnummer:
RS6P100BHTB1
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RS6P100BHTB1-DG
Beschrijving:
NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Voorraad:
2725 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12987311
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RS6P100BHTB1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5.9mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2880 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
104W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-HSOP
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
846-RS6P100BHTB1CT
846-RS6P100BHTB1TR
846-RS6P100BHTB1DKR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMT10H9M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
G3401L
P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
DMP2900UT-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
