SCT3080ALGC11
Fabrikant Productnummer:

SCT3080ALGC11

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SCT3080ALGC11-DG

Beschrijving:

SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247N

Voorraad:

1587 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13524212
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SCT3080ALGC11 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
18V
Rds aan (max) @ id, vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -4V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
571 pF @ 500 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
134W (Tc)
Werkende Temperatuur
175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247N
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SCT3080

Datasheet & Documenten

Betrouwbaarheid Documenten
Bronnen voor ontwerp
Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
rohm-semi

R6009JND3TL1

MOSFET N-CH 600V 9A TO252

rohm-semi

RF4E060AJTCR

MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8

rohm-semi

QS5U28TR

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5

rohm-semi

RCD080N25TL

MOSFET N-CH 250V 8A CPT3