Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
SCT3080ALGC11
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SCT3080ALGC11-DG
Beschrijving:
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247N
Voorraad:
1587 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13524212
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SCT3080ALGC11 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
18V
Rds aan (max) @ id, vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -4V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
571 pF @ 500 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
134W (Tc)
Werkende Temperatuur
175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247N
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SCT3080
Datasheet & Documenten
Betrouwbaarheid Documenten
MOS-3GTHD Reliability Test
Bronnen voor ontwerp
TO-247N Inner Structure
Technische fiches
SCT3080ALGC11
TO-247N Taping Spec
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
R6009JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
RF4E060AJTCR
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
QS5U28TR
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
RCD080N25TL
MOSFET N-CH 250V 8A CPT3