Fabrikant Productnummer:
S2M0040120D
Product Overview
Fabrikant:
SMC Diode Solutions
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
S2M0040120D-DG
Beschrijving:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V Through Hole TO-247-3
Voorraad:
221 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13001582
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
S2M0040120D Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
SMC Diode Solutions
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
-
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
-
Rds aan (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max.)
-
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
-
Werkende Temperatuur
-
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Aanvullende informatie
Standaard pakket
25
Andere namen
1655-S2M0040120D
-1765-S2M0040120D
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDMC035N10X1
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
AS2302
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
