Fabrikant Productnummer:
S2M0080120D
Product Overview
Fabrikant:
SMC Diode Solutions
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
S2M0080120D-DG
Beschrijving:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247AD
Voorraad:
230 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12990362
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
S2M0080120D Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
SMC Diode Solutions
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
20V
Rds aan (max) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1324 pF @ 1000 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
231W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AD
Pakket / Doos
TO-247-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
25
Andere namen
-1765-S2M0080120D
1655-S2M0080120D
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TK3A90E,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
ICE15N60W
Superjunction MOSFET
ICE20N60B
Superjunction MOSFET
