Fabrikant Productnummer:
2N6660
Product Overview
Fabrikant:
Solid State Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2N6660-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 1.1A (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Voorraad:
3575 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12974056
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2N6660 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Manufacturers
Verpakking
Box
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max.)
±40V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-39
Pakket / Doos
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
10
Andere namen
2383-2N6660
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PJF6NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
NTMFS4C822NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
NVBG015N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
