Fabrikant Productnummer:
2N6661
Product Overview
Fabrikant:
Solid State Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2N6661-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 90V 900MA TO39
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 90 V 900mA (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Voorraad:
6694 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12971657
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2N6661 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Manufacturers
Verpakking
Box
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
90 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max.)
±40V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-39
Pakket / Doos
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
10
Andere namen
2383-2N6661
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
APT14M120S
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
PJL9434A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD4NA65_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
