Fabrikant Productnummer:
MJD122-1
Product Overview
Fabrikant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
MJD122-1-DG
Beschrijving:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
Voorraad:
2794 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12876706
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
MJD122-1 Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
STMicroelectronics
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Stroom - collector (ic) (max)
8 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
100 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
4V @ 80mA, 8A
Stroom - Collector Cutoff (Max)
10µA
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 4A, 4V
Vermogen - Max
20 W
Frequentie - Overgang
-
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverancier Device Pakket
TO-251 (IPAK)
Basis productnummer
MJD122
Aanvullende informatie
Standaard pakket
75
Andere namen
MJD122-1-DG
497-16183
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
