Fabrikant Productnummer:
SCTW40N120G2V
Product Overview
Fabrikant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SCTW40N120G2V-DG
Beschrijving:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
Voorraad:
12950523
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SCTW40N120G2V Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
STMicroelectronics
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
18V
Rds aan (max) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1233 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
278W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
HiP247™
Pakket / Doos
TO-247-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
497-SCTW40N120G2V
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
MSC080SMA120B
Fabrikant
Microchip Technology
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
143
DEELNUMMER
MSC080SMA120B-DG
EENHEIDSPRIJS
8.97
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
STL260N4LF7
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
SCTH70N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650