Fabrikant Productnummer:
STB11NM60-1
Product Overview
Fabrikant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
STB11NM60-1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Voorraad:
12880578
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
STB11NM60-1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
STMicroelectronics
Verpakking
-
Reeks
MDmesh™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
160W (Tc)
Werkende Temperatuur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
I2PAK
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
STB11N
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
STB11NM60-1-DG
497-5379-5
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
FCI7N60
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
990
DEELNUMMER
FCI7N60-DG
EENHEIDSPRIJS
1.21
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
STB6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
STU16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
STP200N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
