Fabrikant Productnummer:
STB11NM60N-1
Product Overview
Fabrikant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
STB11NM60N-1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Voorraad:
12881788
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
STB11NM60N-1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
STMicroelectronics
Verpakking
-
Reeks
MDmesh™ II
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
90W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
I2PAK
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
STB11N
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
FCI7N60
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
990
DEELNUMMER
FCI7N60-DG
EENHEIDSPRIJS
1.21
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
STP13NM60N
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
649
DEELNUMMER
STP13NM60N-DG
EENHEIDSPRIJS
2.01
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFD9120PBF
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
STD10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
2N6661JTXL02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
