Fabrikant Productnummer:
STB6N65M2
Product Overview
Fabrikant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
STB6N65M2-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
12877379
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
STB6N65M2 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
STMicroelectronics
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
MDmesh™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
226 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
60W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
STB6N
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
-497-15047-6
497-15047-6
-497-15047-1
-497-15047-2
497-15047-1
497-15047-2
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IXFA7N80P
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
257
DEELNUMMER
IXFA7N80P-DG
EENHEIDSPRIJS
1.67
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
STW12N170K5
MOSFET N-CH 1700V 5A TO247
STP8NK80Z
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
STL23NM50N
MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8