Fabrikant Productnummer:
TSM4ND65CI
Product Overview
Fabrikant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TSM4ND65CI-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
Voorraad:
1845 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12898671
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TSM4ND65CI Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Taiwan Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
596 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
41.6W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
ITO-220
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis productnummer
TSM4
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
1801-TSM4ND65CI
TSM4ND65CI-DG
TSM4ND65CI RLG
TSM4ND65CI C0G
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMN6040SK3Q-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R
TSM052N06PQ56 RLG
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
TSM7N90CI C0G
MOSFET N-CH 900V 7A ITO220AB
