Fabrikant Productnummer:
TSM60NB260CI
Product Overview
Fabrikant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TSM60NB260CI-DG
Beschrijving:
600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole ITO-220
Voorraad:
13000842
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TSM60NB260CI Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Taiwan Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
260mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1273 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
32.1W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
ITO-220
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis productnummer
TSM60
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
4,000
Andere namen
1801-TSM60NB260CI
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
G65P06T
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
DMTH4M70SPGW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMT69M5LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
